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成果简介：实告深圳大学范平教授光伏研究团队近日报道了开路电压高于500mV的Sb2Se3薄膜太阳电池，实告采用磁控溅射制备前驱体非晶Sb薄膜，结合后硒化热处理反应自组装生长高质量Sb2Se3吸收层薄膜，构建Mo/Sb2Se3/CdS/ITO/Ag底衬结构平面异质结薄膜太阳电池，重点设计Sb2Se3/CdS异质结热处理诱发Cd和S元素向吸收层体内扩散，增加体内掺杂浓度且优化能带排列，结合Sb2Se3吸收层深能级缺陷的有效降低及界面缺陷的有效钝化，电池的转换效率达到6.84%，是目前基于溅射法平面异质结底衬结构Sb2Se3薄膜太阳电池的最高效率，同时获得504mV的开路电压。图10Sb2Se3反应成膜过程示意图和太阳电池器件J-V曲线图3.溅射Sb2Se3硒化反应成膜和太阳电池结构优化前期采用原位溅射成膜容易出现与目前基于热蒸发法原理成膜的热分解和反蒸发导致成分偏析问题，公司尤其是高饱和蒸气压Se偏少问题。梁广兴，拒赔男，拒赔法国雷恩第一大学材料学博士，现任深圳大学物理与光电工程学院特聘副研究员，硕士生导师，深圳市海外高层次人才（孔雀），深圳市南山区领航人才，深圳大学荔园优青。

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